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手持式探針無損渦流法電阻測量儀EC-80P

手持式探針無損渦流法電阻測量儀EC-80P

產品型號:

所屬分類:電阻檢測

產品時間:2021-07-15

簡要描述:日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀EC-80P
只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設置測量條件
連接到連接器的可更換電阻測量探頭可支持多種電阻
(電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

詳細說明:

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀EC-80P

產品特點

  • 只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。

  • 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換

  • 使用JOG撥盤輕松設置測量條件

  • 連接到連接器的可更換電阻測量探頭可支持多種電阻

  • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

測量規格

測量目標

半導體/太陽能電池相關材料(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關的進樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯系)

測量尺寸

無論樣品的大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mm&phi;且具有平坦的表面)?

測量范圍

[電阻] 1m至200&Omega;? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[ 抗剪強度] 10m至3k&Omega; / sq
(*所有探頭類型的總量程)

 日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀EC-80P

*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
(1)低:0.01至0.5&Omega;/□(0.001至0.05&Omega;-cm)
(2)中:0.5至10&Omega;/□(0.05至0.5&Omega;-cm)
(3 ))高:10至1000&Omega;/□(0.5至60&Omega;-cm)
(4)S-高:1000至3000&Omega;/□(60至200&Omega;-cm)
(5)太陽能晶片:5至500&Omega;/□(0。 2至15&Omega;-cm)



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